Applied Materials stärkt Position im Solarmarkt durch Übernahme von HCT Shaping Systems

Applied Materials, Inc. (Santa Clara, USA) hat am 26.06.2007 die Übernahme von HCT Shaping Systems SA bekanntgegeben, einem in Privatbesitz befindlichen Unternehmen aus der Schweiz. HCT ist der weltweit führende Anbieter von Präzisionssystemen zur Produktion von Solar-Wafern, die vor allem bei der Herstellung kristalliner Siliziumsubstrate (c-Si) für die Solar-Industrie eingesetzt werden. Die Vertragsbedingungen sehen vor, dass Applied Materials für das gesamte Umlaufkapital von HCT 583 Millionen Schweizer Franken (zirka 475 Millionen US-Dollar zum derzeitigen Wechselkurs) in bar bezahlt, berichtet Applied Materials in einer Pressemitteilung. Die Übernahme sei Teil der Strategie von Applied Materials, die Herstellkosten von Photovoltaik-Zellen zu reduzieren und damit Solarenergie wettbewerbsfähiger zu machen.
„Die Akquisition passt gut zu unserer generellen Strategie, die Kosten pro Watt für die Erzeugung der Solarenergie durch c-SI- und Dünnschichtanwendungen zu senken“, sagte Michael Splinter, Präsident und CEO von Applied Materials. „c-Si ist die Technologie, die derzeit bei der Herstellung von 90 Prozent aller Solarzellen eingesetzt wird. Mit HCT können wir unsere Position in diesem Markt signifikant ausbauen. Durch die Kombination von HCTs Präzisionssystemen zur Herstellung von Wafern mit unserer globalen Service-Infrastruktur und dem umfassenden Prozess-Know-how von Applied Materials können wir bei der Herstellung von Solar-Wafern eine neues Produktivitätsniveau erreichen“, so Splinter weiter.

Dicke der Solar-Wafer signifikant reduzieren
HCT ist laut Applied Materials ein Pionier im Bereich des Präzisions-Wafering. Die Produktpalette umfasse auch Lösungen für das Schneiden von Ingots (quadrieren und croppen) und slurry recovery (Aufbereitung von Schneidemitteln). Die Wafering-Systeme von HCT können Siliziumbarren (Ingots) mit hoher Präzision in dünne Substrate zerlegen, die für die Produktion von c-Si-Solarzellen verwendet werden. In Folge der rasanten Entwicklung der Solarindustrie sei das Unternehmen schnell gewachsen und beliefere Solarzellenhersteller auf der ganzen Welt. Eine zentrale Herausforderung bei der Herstellung von Solarzellen seien Kosten und Verfügbarkeit des Rohsiliziums. Durch den Einsatz der Technologie von HCT könne bei der Herstellung von c-Si-Solarzellen die Dicke der Wafer signifikant reduziert und damit der Bedarf an Silizium verringert werden, betont Applied Materials. Auch bei der Dünnschichttechnologie setzt Applied Materials auf Systeme mit möglichst geringem Siliziumverbrauch, die Glasssubstrate unter Einsatz von Gasen mit einer nur wenige Atome dünnen Siliziumschicht überziehen.
„Unsere Strategie für den Solarmarkt verfolgt das Ziel, Kosten pro Watt zu reduzieren. Für die c-Si-Technologie bedeutet es, die Menge des pro Watt benötigten Siliziums zu reduzieren (Gramm pro Watt)“, sagte Dr. Mark Pinto, Senior Vice President und General Manager der New Business and New Products Group von Applied Materials. „Die Technologie von HCT zur Reduktion der Dicke von Wafern ist entscheidend für die Verbesserung der Materialnutzung und passt optimal zu unserem ATON-Hochleistungssystem zur Beschichtung von c-Si-Wafern für Solarzellen. Die Kombination dieser beiden Technologien wird unsere Kunden in die Lage versetzen, ihre Produktivät zu steigern und gleichzeitig ihre Produktionskosten zu senken“, so Pinto weiter.
Die Transaktion soll entsprechend den üblichen Abschlusskonditionen vollzogen werden, einschließlich der Genehmigung durch nicht-amerikanische Regulierungsbehörden. Die Parteien erwarten den Abschluss der Transaktion im vierten Quartal des Geschäftsjahres 2007 von Applied Materials. Applied Materials wird zu dieser Ankündigung im Rahmen eines „Conference Calls“ Stellung nehmen, der um 14:30 Uhr Ortszeit (23:30 Uhr MESZ) beginnt. Ein Live-Webcast wird zu sehen sein auf der Internetseite http://www.appliedmaterials.com, die Wiederholung steht ab 17:00 Uhr Ortszeit (2:00 Uhr MESZ des Folgetages) zur Verfügung.