Silicon Genesis, US-amerikanischer Hersteller technischer Trägermaterialien (engineered substrates), berichtete am 06.11.2008, das Unternehmen habe mit der Fertigung der ersten „verschnittfreien“, nur 150 Mikrometer (µm) dünnen Solar-Wafer begonnen, die 125 x 125 Millimeter groß sind. Die Produktion von Wafern mit 156 mm Kantenlänge werde in Kürze beginnen. In der Pilotfertigung in San Jose sollen erste Muster der so genannten PolyMax-Wafer produziert und das Fertigungsverfahren weiterentwickelt werden, um Großserien zu produzieren. Das PolyMax-Verfahren dient zur effizienten Herstellung von Wafern mit einer Stärke zwischen 150 µm und 50 µm aus Siliziumblöcken (Ingots). Mit der neuen Fabrik könne Silicon Genesis die Produktion der innovativen, besonders dünnen PolyMax-Photovoltaiksubstrate schneller hochfahren, betont das Unternehmen in einer Pressemitteilung.
Die neue Produktionsstätte demonstriere SiGens stetige Bemühungen, mit der Pilotlinie bis zum Frühjahr 2009 Muster im größeren Umfang zu fertigen.

SiGen-Vorstand Henley: PolyMax-Verfahren kann Trend zur Dünnfilm-PV umkehren
Laut Silicon Genesis können die 150 µm dünnen Wafer von Solarzellenherstellern sofort in bestehenden Produktionsanlagen verarbeitet werden. Auf Grundlage des verschnittfreien Verfahrens zur Waferherstellung sei es möglich die Kosten zu senken und den Siliziumverbrauch zu halbieren, betont Silicon Genesis in der Pressemitteilung. „Die Herstellung von 150 µm-Wafern mit der neuen Pilotlinie wird die Fertigungskapazität deutlich erhöhen und sie ist ein Meilenstein in unserer Wachstumsstrategie“, sagt Francois Henley, Präsident und Vorstand von Silicon Genesis. „Mit unseren Solar-Wafern, die nicht mehr gesägt werden müssen, geht eine Kostensenkung einher, die sich auf die gesamte Wertschöpfungskette auswirkt. Wir gehen davon aus, dass dieses Verfahren die Produktionskosten so deutlich reduzieren kann, dass sich der gegenwärtige Trend zur Dünnfilm-Photovoltaikproduktion umkehren wird“, so Henley weiter. Silicon Genesis hat an einer anderen Produktionsstätte bereits 50 µm-Wafer hergestellt und auf der 23rd European Photovoltaic Conference in Valencia (Spanien) präsentiert.

10.11.2008 | Quelle: Silicon Genesis Corporation | solarserver.de © EEM Energy & Environment Media GmbH