Spire Semiconductor will Solarzellen mit 42 % Wirkungsgrad für die Konzentrator-Photovoltaik entwickeln

29.04.2009 / Archiv / Photovoltaik

Der US-Anlagenbauer Spire Corporation (Bedford, Massachusetts) berichtete im April 2009, dass seinem Tochterunternehmen Spire Semiconductor, LLC, vom National Renewable Energy Laboratory (NREL) des US-Energieministeriums eine Förderung im Umfang von 3.706.359 US-Dollar (USD; 2,8 Millionen Euro) über eine Laufzeit von 18 Monaten bewilligt wurde. Die Unterstützung für das Projekt setze sich zusammen aus 2.960.850 USD (2,2 Millionen Euro) staatlicher Förderung und einer direkten Kostenbeteiligung im Umfang von 745.509 USD (563.000 Euro). Laut Vereinbarung soll Spire Semiconductor Produktionssysteme der nächsten Generation entwickeln, mit denen Dreischicht-Solarzellen auf Basis von so genannten III-V-Halbleitern mit einem Wirkungsgrad von 42 Prozent hergestellt werden können.
„Wir freuen uns, dass das NREL Spire für dieses wettbewerbsträchtige Photovoltaik-Förderprojekt mit dem Ziel ausgewählt hat, die Zeit zwischen Prototypentwicklung und Großserien-Produktion zu verkürzen. Unsere neue Technologie hat das Potenzial, um zuverlässige Konzentrator-Solarzellen mit rekordverdächtigen Wirkungsgraden zu geringeren Produktionskosten herzustellen“, betonte Edward D. Gagnon, Geschäftsführer von Spire Semiconductor.

Technologieentwicklung soll Prozessplattform für industriell gefertigte Konzentrator-Solarzellen schaffen
Roger G. Little, Vorsitzender und Vorstand der Spire Corporation, sagte: „Spire ist seit 25 Jahren in der Solarbranche tätig. Die Entwicklung dieser Zellen wird unser Unternehmen in die Lage versetzen, von den wachsenden Möglichkeiten für Solarzellen auf Basis von Galliumarsenid (GaAs) für die Konzentrator-Photovoltaik zu profitieren. Unser Spire Semiconductor-Werk verfügt über die neuesten Produktionskapazitäten zur Herstellung dieser Produkte. Wir planen, System-Integratoren weltweit unsere neue Dreifach-Solarzellen namens „Triathlon“ anzubieten.