centrotherm photovoltaics erreicht Meilenstein in der Dünnschicht-Produktion; erste CIGS-Module bei taiwanesischem Kunden gefertigt

Die centrotherm photovoltaics AG (Blaubeuren) setzt ihre Entwicklungsvorgaben im Geschäftsbereich Dünnschicht-Photovoltaik konsequent um: Bei einem taiwanesischen Kunden seien auf einer schlüsselfertigen („Turnkey“) Produktionslinie die ersten CIGS (Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid)-Dünnschichtmodule hergestellt worden. Mit „First Module Out“ bestätigen die Photovoltaik-Experten aus Blaubeuren die Leistungsfähigkeit ihrer Prozesstechnologie und Anlagentechnik. Die Produktionslinie in Taiwan ist auf eine Kapazität von rund 30 Megawatt (MW) angelegt.
Sie besteht aus 60 Maschinen, die sich insgesamt über eine Länge von 400 Metern erstrecken. Um das Projekt erfolgreich zu begleiten, ist aktuell ein Team von rund 20 Prozessingenieuren gemeinsam mit dem Kunden vor Ort tätig. Noch im Jahr 2010 soll die Vollproduktivität mit einem durchschnittlichen Wirkungsgrad von zehn Prozent erreicht werden. Die hergestellten Module sind mit einer Fläche von 1,5 m2 die derzeit größten Module ihrer Art in der Massenfertigung.
centrotherm photovoltaics setzt auf die hoch effiziente CIGS-Technologie, weil sich damit in der Dünnschicht-Massenproduktion perspektivisch die höchsten Wirkungsgrade erzielen lassen. Darüber hinaus kommen in der Herstellung im Gegensatz zu anderen Dünnschichttechnologien keine toxischen Prozessgase zum Einsatz. Dazu Dr. Peter Fath, Technologievorstand bei centrotherm photovoltaics: „Unsere Stärke, Technologie- und Prozess-Know-how zu verbinden, zeigt sich auch bei unserem Turnkey-Konzept für CIGS-Module. Es zeichnet sich durch eine technisch einfache industrielle Prozessführung aus, mit der wir unseren Kunden eine kosteneffiziente Produktion bei wettbewerbsfähigen Wirkungsgraden ermöglichen.“

Produktionskosten deutlich unter 1 Euro je Watt-Peak denkbar
Von der centrotherm-Technologie ist auch der taiwanesische Kunde überzeugt, der mit seiner ersten Turnkey-Linie den Einstieg in den Dünnschichtmarkt beginnt. Künftig seien in der Dünnschicht-Massenproduktion Herstellungskosten von deutlich unter einem Euro je Watt-Peak denkbar. „Wir sind vom Zukunftspotenzial der CIGS-Technologie überzeugt und glauben, dass sie sich mittelfristig auch gegenüber dem derzeit noch deutlich stärkeren Geschäft im kristallinen Zellbereich behaupten kann“, betont Dr. Fath. Für das laufende Jahr rechnet centrotherm photovoltaics jedoch noch nicht mit einem starken Nachfrageanstieg. Dazu Fath: „Die sinkenden Kosten für kristalline Zellen setzen die Messlatte höher. Die Dünnschichttechnologie muss im Vergleich dazu noch stark aufholen.“

Konzern-Auftragsbestand liegt bei rund 900 Millionen Euro
Nach vorläufiger Bewertung lag der Auftragsbestand im Konzern zum 31. Dezember 2009 bei rund 900 Millionen Euro. Seit dem 1. Oktober 2009 seien neue Aufträge im Wert von über 400 Millionen Euro unterschrieben worden. Darin enthalten sei ein Rahmenauftrag für die Lieferung von acht Turnkey-Linien und sechs schlüsselfertigen Modullinien, die in den nächsten zwei Jahren ausgeliefert werden sollen. Das Vertragsvolumen liegt nach Angaben des Unternehmens bei rund 160 Millionen Euro. Darüber hinaus sei es gelungen, einen Zusatzauftrag zu einem bereits im Auftragsbuch enthaltenen Silizium-Projekt in Höhe von 160 Millionen Euro zu akquirieren. Die insgesamt wieder positive Marktentwicklung spiegle sich auch im Auftragseingang bei Einzelequipment des Bereichs Solarzelle wider: Dort seien Aufträge mit einem Volumen von rund 70 Million Euro und einer Gesamtproduktionskapazität von 2,8 Gigawatt unterzeichnet worden. Des Weiteren seien Beratungs- und Engineering-Aufträge im Bereich Silizium unterzeichnet worden. Gemäß der vorsichtigen Auftragsbuchpolitik bei centrotherm photovoltaics würden von insgesamt mehr als 400 Millionen Euro Auftragsvolumen zunächst nur 117 Millionen Euro als Auftragseingang im vierten Quartal 2009 berücksichtigt.

18.01.2010 | Quelle: centrotherm photovoltaics AG | solarserver.de © EEM Energy & Environment Media GmbH