IPB AG auf Intersolar 2010: Rekristallisation amorpher Siliziumschichten von Dünnschicht-Solarzellen soll wesentlich vereinfacht werden

Mit Hilfe einer neuartigen Technik zur Rekristallisation amorpher Siliziumschichten will die Hamburger IP Bewertungs AG (IPB AG) einen Beitrag zum modernen Klimaschutz liefern und zu einem bahnbrechenden Fortschritt der Silizium-Dünnschicht-Photovoltaik beitragen, so das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Durch das patentierte Verfahren könnten die Rekristallisationszeiten für die Fertigung mikrokristalliner Dünnschicht-Solarzellen bis in den Minutenbereich verkürzt werden.
Die IPB AG ist nach eigenen Angaben eines der führenden Unternehmen zur Bewertung, Weiterentwicklung und Vermarktung patentgeschützter Technologien. Auf der Intersolar 2010 in München wird das Unternehmen die neuen Entwicklungsergebnisse vom 09. – 11. Juni in Halle C3 auf Stand 270 erstmalig präsentieren.

Produktionsprozess soll deutlich verkürzt werden
Ein Standardprozess bei der Herstellung von mikrokristallinen Silizium-Dünnschichten für die Photovoltaik sei die amorphe Abscheidung mit anschließender Rekristallisation, die in den meisten Fertigungslinien nach wie vor als Ofen-Härtung mit mehrstündiger Prozessdauer und Stapelverarbeitung ausgelegt sei, erklärt die IPB AG in der Pressemitteilung. Dies sei ein teurer und energieaufwändiger Prozess, der den Produktionsfluss empfindlich hemme. Mit einer neuen Technologie aus dem Walter Schottky-Institut verkürze die IPB AG die Prozesszeit jetzt deutlich.

Titanoxid-Zwischenschicht erhöht Aktivierungsenergie zur Bildung neuer Kristallite
Die Innovation basiere auf dem Al-induzierten Schichtaustausch-Konzept (ALILE) und werde derzeit zur Industriereife entwickelt, berichtet die IPB AG. Bei der neuartigen Ti-MILE-Technik (Titan-assisted Metal-Induced Layer Exchange Technology) werde eine zusätzliche Titanoxid-Zwischenschicht in den Prozess integriert. Das Titanoxid kontrolliere den Schichtaustausch zwischen einer Metall-Opferschicht und dem amorphen Silizium, der innerhalb weniger Minuten Prozesszeit das Silizium in eine mikrokristalline Schicht mit einstellbarer Kristallitgröße umwandle. Dabei erhöhe die Titanoxid-Zwischenschicht im Vergleich zum ALILE-Konzept die Aktivierungsenergie für die Bildung neuer Kristallite und führe so bei vergleichbaren Temperaturen zu deutlich größeren Kristalliten, heißt es in der Pressemitteilung.
Kostengünstige und kontinuierlich durchlaufende Prozessführung
Der Ti-MILE-Prozess finde bei Glassubstrat-kompatiblen Temperaturen statt und erlaube eine kostengünstige, kontinuierlich durchlaufende Prozessführung. Die Solarzellenfunktionalität solcher Schichten werde laut der IPB AG anhand vereinfachter Teststrukturen bereits nachgewiesen. Das beschriebene Verfahren sei eines von 22 Patentportfolien eines Patentverwertungsfonds, der von einer deutschen Großbank und einem unabhängigen Initiator aufgelegt worden sei, heißt es in der Pressemitteilung. Die Fondsgesellschaft Dritte Patenportfolio Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. KG sei im Besitz aller Schutzrechte für diese innovative Technologie, die für interessierte Unternehmen zur Lizenzierung bereit stehe. Die IP Bewertungs AG (IPB) berate den Technologieentwicklungsfonds bei der Auswahl von patentgeschützten Technologien und unterstütze ihn bei der Weiterentwicklung und Auslizenzierung.

02.06.2010 | Quelle: IP Bewertungs AG (IPB) | solarserver.de © EEM Energy & Environment Media GmbH