Jetzt meldet das Institut einen wesentlichen Fortschritt in der Entwicklung dieser EpiWafer, die im „drop-in“-Verfahren konventionelle Cz-Wafer ersetzen können. Das Freiburger Forscherteam berichtet, es habe gemeinsam mit NexWafe alle Produktionsschritte für EpiWafer optimiert.

Neue Methode birgt Kostensenkungspotenzial
Diese radikale Veränderung in der Wertschöpfungskette ermögliche die Herstellung von EpiWafern zu wesentlich geringeren Kosten als mit der herkömmlichen Methode, betont das Institut. Der EpiWafer kann herkömmliche n- oder p-dotierte monokristalline Silizium-Wafer ersetzen.
Die Analyse der neuen n-dotierten Wafer habe gezeigt, dass die Minoritätsträger-Lebensdauer höher sei als 1.000 µs, was der Qualität von herkömmlichen n-Typ Cz-Wafern entspricht. Solarzellen, die auf diesen EpiWafern hergestellt werden, erzielen einen Wirkungsgrad von 20 %, ein durch das unabhängige Fraunhofer ISE CalLab bestätigter Wert.

Ergebnisse werden auf der EU PVSEC vorgestellt
„Ich freue mich sehr über dieses tolle Ergebnis“, sagt Dr. Stefan Janz, Abteilungsleiter Silizium-Materialien. „Dieser Erfolg zeigt die schnellen Fortschritte, die wir bereits innerhalb weniger Monate des Arbeitens mit EpiWafern erreichen konnten.“
Die Solarzelle erreicht einen Kurzschlussstrom von 39,6 mA/cm², ein Weltrekord für epitaktisch gewachsene Si-Solarzellen. Die neuen Ergebnisse werden am 15.09.2015  in Hamburg auf der europäischen Photovoltaik-Konferenz EU PVSEC vorgestellt.
„Diese Werte zeigen, dass wir mit unseren EpiWafern eine bahnbrechende Technologie entwickelt haben“, ergänzt Dr. Stefan Reber, Geschäftsführer von NexWafe. „Sie beschleunigt die Marktentwicklung hin zu hocheffizienten Modulen, indem sie qualitativ hochwertige monokristalline EpiWafer zu sehr wettbewerbsfähigen Preisen anbietet, ohne dass der Zellhersteller seinen Prozess ändern muss.“

15.09.2015 | Quelle: Fraunhofer ISE | solarserver.de © EEM Energy & Environment Media GmbH